半導體激光器原理 半導體激光器結構

　　半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。

　　半導體激光器原理

　　半導體激光器工作原理是激勵方式,利用半導體物質(既利用電子)在能帶間躍遷發(fā)光,用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋、產生光的輻射放大,輸出激光。

　　半導體激光器價格

　　1、精工級點狀半導體激光器報價:220.00元

　　2、大功率650nm可調一字激光器一字標記器一字鐳射燈半導體激光器報價:150元

　　3、供應皮秒半導體激光器報價:10.00萬元/件

　　4、十字線鐳射頭 半導體激光器報價:20.00元

　　半導體激光器結構

　　(1)半導體的能帶結構。半導體材料多是晶體結構。當大量原子規(guī)則而緊密地結合成晶體時，晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶(對應較低能量)。與價帶近的高能帶稱導帶，能帶之間的空域稱為禁帶。當加外電場時，價帶中電子躍遷到導帶中去，在導帶中可以自由運動而起導電作用。同時，價帶中失掉一個電子，則相當于出現(xiàn)一個帶正電的空穴，這種空穴在外電場的作用下，也能起導電作用。因此，價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用，統(tǒng)稱為載流子。

　　(2)摻雜半導體與p-n結。沒有雜質的純凈半導體，稱為本征半導體。如果在本征半導體中摻入雜質原子，則在導帶之下和價帶之上形成了雜質能級，分別稱為施主能級和受主能級。